特色硅压力传感器

当半导体硅材料受到力作用时，其原子晶格会发生变化。
也就是说，晶格间距会发生变化。进而，硅材料的载流子迁移率会发生变化。
载流子浓度也会发生变化。载流子的横向分布结构和纵向分布都会受到扰动。
材料的分布结构最终会导致材料电阻率的变化。以上仅是压阻式压力传感器工作原理的一半。
对导电硅材料压阻效应的详细阐述。

另一种广泛应用的压力传感器是电阻应变传感器。与压阻式压力传感器相比，两者的工作原理本质上不同。

半导体硅压阻式压力传感器的压阻效应与金属应变计的应变效应两者的区别在于：前者的输出功率，即电阻值的变化主要取决于材料本身。

材料电阻率的变化。后者的输出功率，即电阻值的变化，取决于：材料几何形状的变化（应变）。

半导体硅材料的灵敏度很高，是金属应变计的50到100倍。

1954年，史密斯致力于研究半导体硅材料的压阻效应。同时，他利用这种效应制造了压力传感器。

早期研究的硅压力传感器与半导体应变计类似。经过开发和研究，通过扩散或离子注入将N型硅片掺杂P型杂质，并定制电阻条。在电阻条背面连接合适的桥式电路，制成集成电路。

与电阻应变计的使用方法相同，该芯片不能独立完成测量工作，还需要牢固地连接到弹性元件上才能感知被测压力的变化。

扩散硅压阻压力传感器是指使用上述芯片制成的传感器。作为敏感元素。